志圣全智能真空烘箱通过创造低压环境显著优化半导体固化工艺。传统固化依赖常压加热易导致材料氧化、热应力不均等问题而真空烘箱将腔体内气压降至1-100Pa使溶剂沸点降低60%-80%实现低温高效干燥。以环氧树脂封装为例在80℃、10Pa条件下固化时间从4小时缩短至45分钟且气泡率从3%降至0.2%以下。其闭环热风循环系统配合PID控温使晶圆表面温差控制在±0.5℃内避免翘曲缺陷。某3D封装测试显示采用真空阶梯固化（50℃→80℃→120℃各段抽真空至50Pa）的芯片良率提升12%键合强度增加18%。当前第三代真空烘箱集成原位质谱监测可实时分析挥发物浓度实现工艺闭环优化为5nm以下制程提供关键支撑。